型号 | SI2301BDS-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 |
SI2301BDS-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI2301BDS-T1-E3 |
产品目录绘图 | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
标准包装 | 1 |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 950mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 375pF @ 6V |
功率 - 最大 | 700mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23-3(TO-236) |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1664 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI2301BDS-T1-E3CT |